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美國 AP TECH 鋯鎢 濺射 陰極
美國 AP TECH,電子源,鋯鎢 （ZrOW） 熱場發射器 （TFE）
熱場發射器 （TFE） 與熱電子發射器一樣被加熱，但也經過電化學蝕刻，具有顯微鏡下鋒利，類似于冷場發射器的方式。
美國 AP TECH 鋯鎢 濺射 陰極
由于發射器的清晰度及其在操作過程中指向抑制器的方向，在源會產生非常高的電場。
場對勢壘的降低以及通過加熱提供給電子的熱能產生了能夠在非交叉模式（或虛擬源模式）下運行的源。因此，與熱離子發射器不同，TFE 不受空間電荷限制，并且比典型的熱離子源亮幾個數量級。
APT 現在提供鋯鎢熱場發射器 （ZrOW TFE），俗稱肖特基源。ZrOW TFE 是行業標準發射器，適用于需要高亮度、提高空間分辨率、穩定發射和長壽命的電子束應用。
我們的 ZrOW 源符合一般 OEM 性能規格和操作參數，可以使用定制的端形（半徑）幾何形狀和任何發射極基座/抑制器配置（包括 FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL 或定制配置）制造。
使用此圖表可比較我們的 TE、CFE 和 TFE 離子源的一般操作要求和性能規格
數十年的研究、開發和電子源制造，AP TECH對電子發射物理學的深入了解使我們的商用熱敏、場發射和熱場發射陰極生產商，這些產品用于顯微鏡、微量分析、X 射線生成、光刻、增材制造或任何其他需要高亮度源的電子束應用。
在熱離子狀態下工作的陰極被加熱到高溫。當電子有足夠的熱能來克服制造陰極的材料的功函數時，就會發生發射。
Applied Physics Technologies的熱離子陰極由六硼化鑭（LaB6）和六硼化鈰（CeBix®）制成。LaB6和CeBix®都是低功函數材料，可生產相對高亮度的陰極，有適度的真空要求和較長的保質期。這些陰極在高達20A/cm2的電流密度下提供長期、穩定的操作，使其非常適合小光斑應用，如SEM、TEM、電子束滅菌、表面分析和計量，以及大電流應用，如x射線生成、光刻和增材制造。
在APT，我們在內部種植和制造我們自己的高質量單晶LaB6和CeBix®，使用一種生產商業上最純和低功函數材料的工藝。經過精煉，我們的硼化物可以定制成各種形狀，具有不同的加熱、安裝和底座配置，所有這些都是為了滿足客戶的操作和性能要求而設計的。
由于功函數LaB6略低，CeBix®陰極在略低的工作溫度下產生更高的電流。因此，CeBix®光源的亮度略高，使用壽命更長。APT是世界上的CeBix®陰極生產商。
Applied Physics Technologies還可以分別提供LaB6和CeBix®單晶棒和單晶盤。
使用此圖表可比較我們的 TE、CFE 和 TFE 離子源的一般操作要求和性能規格
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